HIT太陽(yáng)電池
HIT太陽(yáng)電池結(jié)合晶體硅太陽(yáng)電池和硅基薄膜太陽(yáng)電池的優(yōu)點(diǎn)：①結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)，正反面受光照后都能發(fā)電，可做成雙面電池組件。②由于采用硅基薄膜形成p-n結(jié)，因而最高工藝溫度是非晶硅薄膜的形成溫度（約200℃），因此可實(shí)現(xiàn)低溫制備，低溫工藝節(jié)約能源，同時(shí)可使硅片的熱損傷和變形減小，可使用薄型硅片做襯底，有利于降低材料成本。③開(kāi)路電壓高。HIT電池由于在晶體硅和摻雜薄膜硅之間插入本征薄膜i-a-Si:H，能有效鈍化晶體硅表面的缺陷，因而HIT電池的開(kāi)路電壓比常規(guī)電池要高，從而獲得較高的光電轉(zhuǎn)換效率。④溫度特性好。由于HIT電池結(jié)構(gòu)中的非晶硅薄膜/晶體硅異質(zhì)結(jié)，其溫度特性更為優(yōu)異，溫度系數(shù)為-0.25%/℃，僅為晶體硅電池的溫度系數(shù)（-0.45%/℃）的一半左右，使得HIT電池在光照升溫情況下比常規(guī)電池具有更好的輸出。但是HIT電池也存在一些缺點(diǎn)：①設(shè)備投資高。由于采用了薄膜沉積的技術(shù)，需要用到高真空設(shè)備。②工藝要求嚴(yán)格。要獲得低界面態(tài)的非晶硅/晶體硅界面，對(duì)工藝環(huán)境和操作要求也較高。③需要低溫組件封裝工藝。由于HIT電池的低溫工藝特性，不能采取傳統(tǒng)晶體硅電池的后續(xù)高溫封裝工藝，需要開(kāi)發(fā)適宜的低溫封裝工藝。
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